10月31日，從中北高新區獲悉，該區企業山西天成半導體材料有限公司繼今年成功研制12英寸導電型碳化硅單晶材料后，依托自主研發設備再度攻克12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料技術難關，實現大尺寸碳化硅核心材料雙技術路線的重大突破，為區域半導體產業高質量發展注入強勁動能。
成立于2021年8月的天成半導體，是中北高新區培育的高新、專精特新技術企業典范。依托區域良好的創新生態，企業已構建完整自主知識產權技術體系，斬獲多項專利軟著，其長晶設備獲歐盟CE認證，企業更通過IATF16949車規質量管理體系認證，為產品進入高端市場奠定堅實基礎。目前，企業已形成”裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案能力，率先實現8英寸至12英寸導電型與半絕緣型碳化硅單晶材料可量產化。12英寸導電型碳化硅單晶材料晶體有效厚度已突破35毫米，自主研發的長晶設備可產出直徑達350毫米的單晶材料，更形成了12英寸高純半絕緣與N型單晶生長雙成熟工藝體系。這一系列成果的取得，源于企業對核心技術的持續攻堅，其先后攻克大尺寸擴徑工藝、低缺陷單晶生長工藝等技術瓶頸，構建起從長晶設備制造、粉料制備、熱場石墨組件制備到晶體加工的全流程自主可控生產線，產品質量達到國際領先水平。
此次天成半導體的技術突破，是中北高新區深耕半導體產業、強化創新驅動的生動縮影。近年來，中北高新區通過構建完善創新生態、強化要素保障，推動半導體產業集群化發展，培育出一批掌握核心技術的優質企業。今后，中北高新區將持續為企業提供全生命周期服務，支持天成半導體等企業推進技術產業化落地，加速構建新興產業集聚區，助力半導體產業自主可控發展。
（責編：張凱）
