2月26日，從中國電科二所獲悉，山西省第一片碳化硅芯片在該所研制成功。

　　碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優點，可有效突破傳統硅基材料的物理極限，廣泛應用于新能源汽車及其充電樁、大數據中心、軌道牽引、高壓電網、新能源逆變等領域，是我國重點發展的戰略性先進半導體，對實現碳達峰碳中和具有重要的戰略意義。

　　2021年9月，中國電科二所接到6英寸碳化硅芯片整線系統集成研發任務，該項目要求四個月內完成整線設備評估、選型、采購、安裝、調試，并流出第一片芯片。為了不耽誤項目進度，項目團隊放棄休息，在保證人員及設備安全的前提下連夜作業，夜晚卸貨、搬運、拆包，白天安裝就位，僅用一個月內就完成了設備移入，創造了電科山西速度。

　　為按時間節點完成流片任務，項目團隊平均每天要工作16個小時，各設備負責人輪流堅守崗位。最終在配套設備到位的30日內，完成了單機設備調試、碳化硅SBD整線工藝調試并成功產出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度創造了國內第一！

　　中國電科二所工作人員表示，山西省第一片碳化硅芯片是落實山西省“十四五”規劃，將半導體產業打造成新支柱產業取得的階段性重大成果，是太原市向半導體領域轉型發展道路上的一個里程碑。接下來，他們將進一步優化設計和工藝流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指標、提高良品率，實現規模化生產，以最優的狀態，為全方位推動山西省、太原市半導體產業高質量發展做出更大的貢獻。