11月7日，位于山西綜改示范區陽曲工業園區海納半導體(山西)有限公司半導體硅單晶生產基地項目的單晶廠房內，工人師傅正在為真空管道、冷卻管道、氬氣管道做保溫。該項目自去年6月開工以來，在廣大建設者的奮力拼搏下，施工已接近尾聲，目前正鉚足干勁全力沖刺投產。
海納半導體(山西)有限公司半導體硅單晶生產基地項目總投資5.46億元，占地面積約133.85畝，建筑面積約8.97萬平方米。項目運用海納自身的技術，引入120套單晶生產設備，建設年產750噸6英寸半導體硅單晶生產基地，并開展8英寸至12英寸半導體級硅單晶相關生產技術的研發。
為保證項目建設穩步推進，陽曲工業園區成立項目專班，協調解決了項目設計方案、臨時水電接入、土方平衡、四鄰確界、立項調整、能耗指標、砷指標落實等一系列影響項目建設的問題，有力地推動了項目建設。
（責編：田洲）
